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電解電容器(參考)
電容器阻抗/ESR頻率特性(參考)
電容器阻抗/ESR頻率特性(參考)
電容器阻抗/ESR頻率特性(參考)
現就電容器的阻抗大小|Z|和等價串聯電阻(ESR)的頻率特性進行闡述。
通過了解電容器的頻率特性,可對諸如電源線消除噪音能力和抑制電壓波動能力進行判斷,可以說是設計回路時不可或缺的重要參數。此處對頻率特性中的阻抗大小|Z|和ESR進行說明。
1.
電容器的頻率特性
如假設角頻率為ω,電容器的靜電容量為C,則理想狀態下電容器(圖1)的阻抗Z可用公式(1)表示。
由公式(1)可看出,阻抗大小|Z|如圖2所示,與頻率呈反比趨勢減少。
由於理想電容器中無損耗,故等價串聯電阻(ESR)為零。
圖2.理想電容器的頻率特性
但實際電容器(圖3)中除有容量成分C外,還有因電介質或電極損耗產生的電阻(ESR)及電極或導線產生的寄生電感(ESL)。因此,|Z|的頻率特性如圖4所示呈V字型(部分電容器可能會變為U字型)曲線,ESR也顯示出與損耗值相應的頻率特性。
|Z|
和ESR變為圖4曲線的原因如下。
低頻率範圍:低頻率範圍的|Z|與理想電容器相同,都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質分極延遲產生的介質損耗相應的特性。
共振點附近:頻率升高,則|Z|將受寄生電感或電極的比電阻等產生的ESR影響,偏離理想電容器(紅色虛線),顯示最小值。
|Z|
為最小值時的頻率稱為自振頻率,此時|Z|=ESR。若大於自振頻率,則元件特性由電容器轉變為電感,|Z|轉而增加。低於自振頻率的範圍稱作容性領域,反之則稱作感性領域。
ESR
除了受介電損耗的影響,還受電極自身抵抗行程的損耗影響。
高頻範圍:共振點以上的高頻率範圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻範圍的|Z|可由公式(2)近似得出,與頻率成正比趨勢增加。
ESR
逐漸表現出電極趨膚效應及接近效應的影響。
以上為實際電容器的頻率特性。重要的是,頻率越高,就越不能忽視寄生成分ESR或ESL的影響。隨著電容器在高頻領域的應用越來越多,ESR和ESL與靜電容量值一樣,成為表示電容器性能的重要參數。
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